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片状钽电容的频率特性分析
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- 发布时间：2021-10-27 16:54
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【概要描述】我们知道每个电容都有自己的频率特性，那么AVX钽电容的频率特性是什么?AVX钽电容的有效电容随着频率的增加而降低，直到达到谐振(通常在0.5到5MHZ之间)。
以AVX芯片e型钽电容的220UF 10V规格为例，介绍AVX钽电容的频率特性和AVX钽电容的温度特性曲线。
AVX钽电容的温度特性
钽电容的容量随温度的变化而变化。这种变化本身与额定电压和电容的关系很小。从下面的温度曲线可以看出，在
片状钽电容的频率特性分析
【概要描述】我们知道每个电容都有自己的频率特性，那么AVX钽电容的频率特性是什么?AVX钽电容的有效电容随着频率的增加而降低，直到达到谐振(通常在0.5到5MHZ之间)。
以AVX芯片e型钽电容的220UF 10V规格为例，介绍AVX钽电容的频率特性和AVX钽电容的温度特性曲线。
AVX钽电容的温度特性
钽电容的容量随温度的变化而变化。这种变化本身与额定电压和电容的关系很小。从下面的温度曲线可以看出，在
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我们知道每个电容都有自己的频率特性，那么AVX钽电容的频率特性是什么?AVX钽电容的有效电容随着频率的增加而降低，直到达到谐振(通常在0.5到5MHZ之间)。
以AVX芯片e型钽电容的220UF 10V规格为例，介绍AVX钽电容的频率特性和AVX钽电容的温度特性曲线。
AVX钽电容的温度特性
钽电容的容量随温度的变化而变化。这种变化本身与额定电压和电容的关系很小。从下面的温度曲线可以看出，在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的升高而增大。
损耗角正切
这是测量电容器能量损耗的方法。其表达式为tan，为电容器的功率损耗，其无功功率分为一组规定的正弦电压频率。所用的术语是功率因数、损耗因数和介电损耗。COS(90-)是实功率因数。使用测量进行测量谭桥提供0.5V RMS120HZ的正弦信号。
耗散和温度之间的关系
耗散系数随温度变化的典型曲线。这些块是钽和氧化钽相同的电容器。
切损失角(TAN)由耗散因数测量，用百分数表示。DF测量用于测量0.5v RMS120HZ正弦波信号、谐波和2.2vdc的桥接电源。df值与温度和频率有关。
耗散因子的频率依赖性
随着频率的增加，损耗系数出现在钽和氧化钽电容器的典型曲线上，即在规定频率下的电流与电压之比。钽电容的阻抗、半导体层的电阻电容、电极和引线的电感是由三个因素决定的，高频引起的电感是一个限制因素。温度和频率特性决定了这三个因素的阻抗特性，阻抗Z阻抗为25度和100KHZ。
AVX钽电容的等效串联电阻ESR
电阻损耗出现在所有可行的电容器中。这些是由几种不同的机制，包括电阻元件和接触，介质中的粘性力和缺陷电流路径的生产旁路。为了表达这些损耗对其电容ESR的影响。
AVX钽电容的阻抗与ESR的频率依赖性
ESR和阻抗均随频率增加而增大，分岔阻抗在较低频率值时作为附加贡献变得更为重要。
AVX钽电容承受电压和电流冲击的能力有限，这是基于所有电解电容的共同特性。足够高的电应力会通过电介质，从而损坏电介质。例如，6伏钽电容在其额定电压下的电场为167kv /mm。因此，确保整个电容器端子的电压不超过规定的浪涌额定电压是很重要的。二氧化锰作为钽电容负极板的半导体材料，具有自愈能力。然而，这种低电阻是有限的，在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。降压电容增加元件的可靠性。额定电压使用常见的轨迹,低阻抗电压钽电容在电路快速充电或放电,保护电阻1Ω/ V,如果不能达到这个要求应该使用钽电容降压系数高达70%,在这种情况下,可能需要更高的电压比作为一个单独的电容。A系列组合应该是用于增加工作电压的等效电容器。
ESR和阻抗均随频率增加而增大，分岔阻抗在较低频率值时作为附加贡献变得更为重要。
AVX钽电容承受电压和电流冲击的能力有限，这是基于所有电解电容的共同特性。足够高的电应力会通过电介质，从而损坏电介质。例如，6伏钽电容在其额定电压下的电场为167kv /mm。因此，确保整个电容器端子的电压不超过规定的浪涌额定电压是很重要的。二氧化锰作为钽电容负极板的半导体材料，具有自愈能力。然而，这种低电阻是有限的，在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。降压电容增加元件的可靠性。额定电压使用常见的轨迹,低阻抗电压钽电容在电路快速充电或放电,保护电阻1Ω/ V,如果不能达到这个要求应该使用钽电容降压系数高达70%,在这种情况下,可能需要更高的电压比作为一个单独的电容。A系列组合应该是用于增加工作电压的等效电容器。
例如，两个22UF25V系列部件相当于一个11UF50V部件。能力指的是在很短的时间内至少330号电路的串联电阻(1 kΩ主要单位国家)能够承受的最高电压。在常温下，浪涌电压可达极限电压的10倍，在一小时内可达30秒。浪涌电压只是一个参考参数，不能作为电路设计的依据。正常工作时，应定期对电容进行充放电。不同温度下的电涌电压值不同。当温度为85度及以下时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS为额定电压VR的1.3倍。在85-125度时，分类电压VC等于额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。
钽电容的反向电压
AVX钽电容的反向电压严格限制如下:
在1.0v 25 c时，额定直流工作电压可达10%
额定直流工作电压在0.5v 85c时可达3%
额定直流工作电压在0.1v 125c时可达1%
反向电压值是基于钽电容在任何时候的最高电压值，这些限制是基于钽电容的偏振光将工作在最正确的方向上的假设。他们的目标是覆盖一个令人印象深刻的波形的一小部分，因为短期反转发生在转换瞬态极性。持续施加反向电压会导致极化，增加泄漏电流。在连续反向应用电压可能发生的情况下，两个类似的电容器应连接负端回接配置。在大多数情况下，这种组合将有一个公称电容。
钽电容的叠加交流电压(vr.m.s.)——也称为纹波电压
这是可通过叠加直流电压施加到电容器上的最大R.M.S.交流电压。
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